Türkçe | English
ORMAN FAKÜLTESİ / ORMAN MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
( I. ÖĞRETİM)
Ders Bilgi Paketi
http://www.orman.ktu.edu.tr/om/index.html
Tel: +90 0462 3772805
ORF
ORMAN FAKÜLTESİ / ORMAN MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ / ( I. ÖĞRETİM)
Katalog Ana Sayfa
  Katalog Ana Sayfa  KTÜ Ana Sayfa   Katalog Ana Sayfa
 
 

ELK2012Elektronik - I3+0+2AKTS:5
Yıl / YarıyılBahar Dönemi
Ders DuzeyiLisans
Yazılım ŞekliZorunlu
BölümüELEKTRİK ve ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
Ön KoşulELK1002-Elektrik Mühendisliğinin Temelleri dersinden DC notu almış olmalı
Eğitim SistemiYüz yüze
Dersin Süresi14 hafta - haftada 3 saat teorik ve 2 saat laboratuar
Öğretim ÜyesiProf. Dr. İsmail Hakkı ÇAVDAR
Diğer Öğretim ÜyesiPROF. DR. İsmail Hakkı ÇAVDAR,
Öğretim DiliTürkçe
StajYok
 
Dersin Amacı:
Öğrencilere, elektronikte kullanılan temel bileşenler öğretilmektedir.
 
Öğrenim KazanımlarıBPKKÖY
Bu dersi başarı ile tamamlayan öğrenciler :
ÖK - 1 : temel elektronik kavramlarını daha iyi anlar1,2,5,11,131
ÖK - 2 : yarı iletken cihazları daha iyi anlar1,2,5,11,131
ÖK - 3 : yarı iletken diyot ve tranzistör V-I karakteristiğini analiz edebilir.1,2,5,11,131
ÖK - 4 : yarı iletken diyot ve tranzistör devrelerini daha iyi anlar1,2,5,11,131
BPKK :Bölüm program kazanımlarına katkı, ÖY : Ölçme ve değerlendirme yöntemi (1: Yazılı Sınav, 2: Sözlü Sınav, 3: Ev Ödevi, 4: Laboratuvar Çalışması/Sınavı, 5: Seminer / Sunum, 6: Dönem Ödevi / Proje),ÖK : Öğrenim Kazanımı
 
Ders İçeriği
Yarı iletkenler: p tipi yarı iletkenler, n tipi yarı iletkenler, p-n eklemi. Diyotlar: Açık devreli p-n eklemi, V-I karakteristiği, V-I karakteristiğinin sıcaklığa bağımlılığı, diyot direnci, diyot kapasitesi, zener diyotlar, yük eğrisi kavramı, lineer diyot modeli, diyod anahtarlama zamanları, zener diyot gerilim regülatörü, kırpıcı devreler, doğrultucular, diğer diyot devreleri, kapasitör filtreleri, küçük işaret analizi. BJT : Eklem transistorü kurulumu, ortak baz, ortak emitör ve ortak kolektör yapıları, aktif kesim ve doyum bölgeleri, transistör kazançları , transistör anahtarlama zamanları, BJT' nin çalışma noktası, kutuplama kararlılığı, tekil kutup veye emitör kutup, ICO , VBE ve β değişimlerine karşı dengeşleme. JFET : Eklem alan etkilitransistör, V-I karakteristiği, iyileştirilmiş MOSFET, tüketici MOSFET, MOSFET dönüştürücü, MOSFET lojik kapıları, tamamlayıcı MOSFET, JFET' in çalışma noktası
 
Haftalık Detaylı Ders İçeriği
 HaftaDetaylı İçerikÖnerilen Kaynak
 Hafta 1p-tipi, n-tipi yarı iletken, p-n eklemi.
 Hafta 2Diodun akım bileşenleri, akım-gerilim özeğrileri, sıcaklıkla değişimleri, uygulama
 Hafta 3Diod direnci, diod kapasitesi, diodun anahtarlama zamanları, uygulama
 Hafta 4Zener diod, tunel diod, yük doğrusu, doğrusal diod modeli
 Hafta 5Fotodiod,led, display, fotovoltaik etki
 Hafta 6Kırpıcı devreler, kenetleyiciler, uygulama
 Hafta 7Doğrultucular, diğer diodlu devreler
 Hafta 8Transistör, ortak bazlı, ortak emetörlü, ortak kollektörlü
 Hafta 9Arasınav
 Hafta 10Transistörün kesim, iletim(aktif) ve doyum bölgeleri, uygulama
 Hafta 11Foto transistör, transistörün anahtarlama zamanları, transistörün kutuplanması(çalışma noktası)
 Hafta 12Kutuplama kararlılığı
 Hafta 13FET, akım-gerilim özeğrileri
 Hafta 14MOSFET, çeşitleri
 Hafta 15MOSFET devreleri, CMOS, FET in kutuplanması, uygulama
 Hafta 16Dönem sonu sınavı
 
Ders Kitabı / Malzemesi
1Millman, J. 1985, MICROELECTRONICS :Digital and Analog Circuits and Systems, McGraw-HILL.
 
İlave Kaynak
1Demircioğlu, Türen, 2000, Electronic Circuits: Solved Problems.
2Millman, J., 1988, MICROELECTRONICS, McGraw-HILL.
3Boylestad, R. / Nashelsky, L.,1972, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice-HALL.
4Schilling D. L. / Belove, C., 1989, ELECTRONIC CIRCUITS, McGraw-HALL.
 
Ölçme Yöntemi
YöntemHaftaTarih

Süre (Saat)Katkı (%)
Arasınav 9 2 50
Dönem sonu sınavı 16 2 50
 
Öğrenci Çalışma Yükü
İşlem adıHaftalık süre (saat)

Hafta sayısı

Dönem toplamı
Yüz yüze eğitim 3 14 42
Sınıf dışı çalışma 2 14 28
Arasınav için hazırlık 15 1 15
Arasınav 2 1 2
Dönem sonu sınavı için hazırlık 18 1 18
Dönem sonu sınavı 2 1 2
Diğer 1 18 1 18
Diğer 2 2 1 2
Toplam Çalışma Yükü127