|
|
| ESM2013 | Elektronik - I | 2+0+0 | AKTS:4 | | Yıl / Yarıyıl | Güz Dönemi | | Ders Duzeyi | Lisans | | Yazılım Şekli | Seçmeli | | Bölümü | ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ | | Ön Koşul | Yok | | Eğitim Sistemi | Yüz yüze | | Dersin Süresi | 14 hafta - haftada 2 saat teorik | | Öğretim Üyesi | Dr. Öğr. Üyesi Ömür AKYAZI | | Diğer Öğretim Üyesi | Dr. Öğr. Üyesi Erdinç ŞAHİN | | Öğretim Dili | Türkçe | | Staj | Yok | | | | Dersin Amacı: | | Öğrencilere, elektronikte kullanılan temel bileşenleri öğretilmektedir. |
| Öğrenim Kazanımları | PÖKK | ÖY | | Bu dersi başarı ile tamamlayan öğrenciler : | | | | ÖK - 1 : | Temel elektronik kavramlarını daha iyi anlar | 1 - 5 | 1, | | ÖK - 2 : | Yarı iletken cihazları daha iyi anlar | 1 - 5 | 1, | | ÖK - 3 : | Yarı iletken diyot ve transistör V-I karakteristiğini analiz edebilir. | 1 - 5 | 1, | | ÖK - 4 : | Yarı iletken diyot ve tranzistör devrelerini daha iyi anlar | 1 - 5 | 1, | | PÖKK :Program öğrenim kazanımlarına katkı, ÖY : Ölçme ve değerlendirme yöntemi (1: Yazılı Sınav, 2: Sözlü Sınav, 3: Ev Ödevi, 4: Laboratuvar Çalışması/Sınavı, 5: Seminer / Sunum, 6: Dönem Ödevi / Proje),ÖK : Öğrenim Kazanımı | | |
| Yarı iletkenler: p tipi yarı iletkenler, n tipi yarı iletkenler, p-n eklemi. Diyotlar: Açık devreli p-n eklemi, V-I karakteristiği, V-I karakteristiğinin sıcaklığa bağımlılığı, diyot direnci, diyot kapasitesi, zener diyotlar, yük eğrisi kavramı, lineer diyot modeli, diyod anahtarlama zamanları, zener diyot gerilim regülatörü, kırpıcı devreler, doğrultucular, diğer diyot devreleri, kapasitör filtreleri, küçük işaret analizi. BJT : Eklem transistorü kurulumu, ortak baz, ortak emitör ve ortak kolektör yapıları, aktif kesim ve doyum bölgeleri, transistör kazançları , transistör anahtarlama zamanları, BJT' nin çalışma noktası, kutuplama kararlılığı, tekil kutup veye emitör kutup, ICO , VBE ve ß değişimlerine karşı dengeşleme. JFET : Eklem alan etkilitransistör, V-I karakteristiği, iyileştirilmiş MOSFET, tüketici MOSFET, MOSFET dönüştürücü, MOSFET lojik kapıları, tamamlayıcı MOSFET, JFET' in çalışma noktası |
| |
| Haftalık Detaylı Ders Planı | | Hafta | Detaylı İçerik | Önerilen Kaynak | | Hafta 1 | p-tipi, n-tipi yarı iletken, p-n eklemi. | | | Hafta 2 | Diodun akım bileşenleri, akım-gerilim özeğrileri, sıcaklıkla değişimleri, uygulama | | | Hafta 3 | Diod direnci, diod kapasitesi, diodun anahtarlama zamanları, uygulama | | | Hafta 4 | Zener diod, tunel diod, yük doğrusu, doğrusal diod modeli | | | Hafta 5 | Fotodiod,led, display, fotovoltaik etki | | | Hafta 6 | Kırpıcı devreler, kenetleyiciler, uygulama | | | Hafta 7 | Doğrultucular, diğer diodlu devreler | | | Hafta 8 | Transistör, ortak bazlı, ortak emetörlü, ortak kollektörlü | | | Hafta 9 | Arasınav | | | Hafta 10 | Transistörün kesim, iletim(aktif) ve doyum bölgeleri, uygulama | | | Hafta 11 | Foto transistör, transistörün anahtarlama zamanları, transistörün kutuplanması(çalışma noktası) | | | Hafta 12 | Kutuplama kararlılığı | | | Hafta 13 | FET, akım-gerilim özeğrileri | | | Hafta 14 | MOSFET, çeşitleri | | | Hafta 15 | MOSFET devreleri, CMOS, FET in kutuplanması, uygulama | | | Hafta 16 | Dönem sonu sınavı | | | |
| 1 | AYDEMİR, M., Timur, 2013, Temel Mühendislik Devre Analizi | | | 2 | MORGÜL, Avni,2016; Elektronik Devre Elemanları, PapatyaBilim Üniversite Yayıncılığı, İstanbul | | | |
| Ölçme Yöntemi | | Yöntem | Hafta | Tarih | Süre (Saat) | Katkı (%) | | Arasınav | 9 | 26.11.2021 | 2 | 50 | | Dönem sonu sınavı | 16 | 14.01.2022 | 2 | 50 | | |
| Öğrenci Çalışma Yükü | | İşlem adı | Haftalık süre (saat) | Hafta sayısı | Dönem toplamı | | Yüz yüze eğitim | 3 | 14 | 42 | | Sınıf dışı çalışma | 2 | 14 | 28 | | Arasınav için hazırlık | 2 | 7 | 14 | | Arasınav | 2 | 1 | 2 | | Ödev | 2 | 10 | 20 | | Dönem sonu sınavı için hazırlık | 2 | 12 | 24 | | Dönem sonu sınavı | 2 | 1 | 2 | | Toplam Çalışma Yükü | | | 132 |
|